DB HiTek, один из ведущих заводов-изготовителей полупроводниковых 8-дюймовых элементов, объявил о своем участии в PCIM (Power Conversion and Intelligent Motion) Europe 2026 — главной выставке силовых полупроводников на континенте.
На мероприятии этого года DB HiTek расскажет о прогрессе в своих процессах SiC (карбид кремния) и GaN (нитрид галлия) следующего поколения. Компания также уделит особое внимание ведущей в отрасли технологии BCDMOS (Bipolar-CMOS-DMOS), основному преимуществу своего портфеля управления энергоснабжением. Уже составлен четкий график встреч с глобальными клиентами, что отражает постоянный рост сотрудничества.
По данным исследования рынка, сделанным компанией Yole Développement, глобальные рынки силовых полупроводников на основе SiC и GaN ожидает быстрый рост. Прогнозируется, что рынок SiC вырастет примерно с $ 4,8 млрд в 2026 году до $ 10,4 млрд к 2030 году, что соответствует совокупному годовому темпу роста (CAGR) в 21 %. Ожидается, что за тот же период рынок GaN увеличится с $ 900 млн до $ 2,9 млрд, что соответствует 33 % CAGR.
DB HiTek запустила MPW (Multi-Project Wafer) для своих процессов SiC и GaN в декабре 2025 года, произведя образцы для более чем 10 продуктов клиентов. В настоящее время DB HiTek поддерживает отношения по серийному производству примерно с 400 клиентами, в основном ориентируясь на свои флагманские силовые полупроводниковые продукты. Компания также работает с широкой клиентской базой, используя специализированные технологии датчиков изображения, включая X-ray, Global Shutter и SPAD (Single Photon Avalanche Diode). Структура областей применения все больше смещается в сторону промышленной и автомобильной продукции, что отражает растущий спрос со стороны этих секторов.
