Компания DB HiTek, ведущий южнокорейский специализированный производитель микросхем на 8-дюймовых пластинах, объявила об успешном завершении квалификационных испытаний на надежность для процесса изготовления кремний-карбидных (SiC) МОП-транзисторов (MOSFET) на 1 200 В на 8-дюймовых (200 мм) пластинах. Это достижение знаменует собой новый шаг в экспансии компании на рынок 8-дюймовых кремний-карбидных полупроводников с плановым объемом производства на 2027 год. С учетом пройденных квалификационных испытаний DB HiTek планирует усилить поддержку разработки продуктов для клиентов, найти новых клиентов и ускорить подготовку к серийному производству в 2027 году.
Карбид кремния (SiC) — это прочный материал для полупроводников следующего поколения, который обладает улучшенными характеристиками по сравнению с обычным кремнием (Si) в высокотемпературных и высоковольтных средах, что делает его пригодным для использования в электромобилях (EV), системах возобновляемых источников энергии и промышленного энергетического оборудования. В то время как 6-дюймовые пластины в настоящее время доминируют на рынке карбида кремния, крупные мировые производители полупроводников переходят на 8-дюймовые пластины для повышения эффективности производства и конкурентоспособной стоимости. DB HiTek отреагировала на этот рыночный переход разработкой технологии процесса производства 8-дюймовых пластин из карбида кремния и созданием собственных полупроводниковых сервисов.
Благодаря оптимизации процесса производства МОП-транзисторов из карбида кремния компания DB HiTek достигла конкурентоспособных электрических характеристик и высокого уровня надежности. Компания наладила первый в мире полнофункциональный технологический процесс производства 8-дюймовых карбид-кремниевых пластин на 1 200 В, создав сервисную платформу для производства полупроводников, способную поддерживать клиентов при проектировании, производстве, определении электрических характеристик и квалификации надежности.
Чтобы поддержать коммерческое развертывание своего бизнеса по производству 8-дюймовых кремний-карбидных пластин, DB HiTek предоставляет клиентам комплекты проектирования для разработки микросхем (PDK) для своих запатентованных процессов производства МОП-транзисторов первого и второго поколения на 1 200 В. Третье поколение PDK планируется выпустить в ноябре этого года. Используя эти PDK, клиенты могут сократить ресурсы, необходимые на начальных этапах разработки, ускорить изготовление прототипов и сократить время разработки продукта более чем на один год.
Процесс второго поколения, охватываемый PDK, достигает удельного сопротивления (Rsp) 2,5 мОм/см² или менее и порогового напряжения (Vth) 3 В или выше при напряжении на затворе в открытом состоянии (Vgs(on)) 18 В. Он также прошел квалификационные испытания на надежность, что является сложной стадией разработки процесса.
Процесс третьего поколения, запланированный к выпуску в ноябре этого года, проходит сейчас квалификационные испытания с целью достижения удельного сопротивления 2,3 мОм/см² или менее при одинаковом напряжении на затворе в открытом состоянии 18 В вместе со временем безопасного воздействия короткого замыкания (SCWT) не менее 2,5 мкс в области безопасной работы при коротком замыкании (SCSOA). После завершения квалификационных испытаний DB HiTek планирует сделать PDK третьего поколения доступным для клиентов.
DB HiTek планирует завершить подготовку процесса и обеспечить доступ к нему постоянным клиентам в третьем квартале этого года. Компания планирует сделать услугу доступной для всех клиентов, начиная со второго квартала 2027 года.
«Завершение квалификационных испытаний на надежность для нашего процесса производства кремний-карбидных МОП-транзисторов на 1 200 В имеет важное значение, поскольку оно демонстрирует, что мы обеспечили основную технологическую и производственную основу, необходимую для предоставления первого в мире сервиса для кремний-карбидных полупроводников на 8-дюймовых пластинах», — сказал представитель DB HiTek. «Мы продолжим подготовку к серийному производству 8-дюймовых кремний-карбидных пластин в 2027 году с целью определения позиции компании на рынке и укрепления нашей конкурентоспособности в секторе производства силовых полупроводников следующего поколения».
